晶圓代工廠中芯(smic)3日宣布，與手機晶片大廠高通攜手，將以28奈米多晶矽(polysion)、以及28奈米高介電常數(shù)金屬閘極(hkmg)制程，為高通量產驍龍(snapdragon)處理器。 　　

　　中芯說明，將與高通子公司──美國高通技術公司(qualcommtechnologies,inc.)在28奈米制程和晶圓制造服務方面緊密合作，在中國制造高通驍龍?zhí)幚砥?。中芯強調，高通是全球最大的無晶圓廠半導體供應商之一，同時也是全球3g、4g及新一代無線技術的領先者，其驍龍?zhí)幚砥魇菍樾袆友b置而設計。中芯看好，該合作將會提升中芯于28奈米制程的成熟度及產能。 　　

　　中芯早先已接獲高通電源管理、無線及連接ic等產品訂單，此次則是在28奈米制程進一步攜手。中芯透露，未來還會將其技術延伸到3dic以及射頻前端(rffront-end)的晶圓制造，以支援高通持續(xù)擴展的驍龍產品系列。 　　

　　中芯首席執(zhí)行官兼執(zhí)行董事邱慈云博士表示，很高興能夠與美國高通技術公司達成此項合作，這對中芯28奈米制程的完善以及競爭力的提升，具有重要的里程碑意義，相信得到美國高通技術公司的支援，28奈米將會成為中芯最重要的成長動能。中芯也預期，28奈米制程的生命周期長度將會超越先前的技術節(jié)點。 　　

　　美國高通技術公司執(zhí)行副總裁兼qct聯(lián)席總裁murthyrenduchintala則表示，中芯是美國高通技術公司的重要供應商之一，其實力和技術正不斷提升，以滿足高通更高的產品需求。高通很高興能與中芯合作，并期待在中國開始其28奈米的產品制造，并執(zhí)行高通的區(qū)域供應鏈戰(zhàn)略。他強調，中芯正于高通全球運營中扮演日益重要的地位。